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Imec擴大硅光子產品組合 目標指向下一代數據中心互聯

摘要:在ECOC2019期間,全球領先的納米電子和數字技術研究與創新中心Imec,聯合根特大學Imec研究實驗室IDLab和Photonics Research Group,共同發布硅光子(SiPho)技術研究里程碑式的重要成果,其展示的建造架構可為下一代數據中心交換機400Gb/s和更高速的光學鏈路,以及共同封裝(co-packaged )光器件提供可實現的途徑,這些光器件將是未來數據中心數據傳輸的關鍵技術。本次成果亮點包括:硅通孔(TSV)輔助、高密度(Tbps/mm2) CMOS-SiPho光收發器樣機、低功率106Gb/s PAM4 SiPho發射機、高速的鍺/硅APD和超寬帶低損耗單模光纖耦合器。

  ICCSZ訊(編譯:Aiur) 在ECOC2019期間,全球領先的納米電子和數字技術研究與創新中心Imec,聯合根特大學Imec研究實驗室IDLab和Photonics Research Group,共同發布硅光子(SiPho)技術研究里程碑式的重要成果,其展示的建造架構可為下一代數據中心交換機400Gb/s和更高速的光學鏈路,以及共同封裝(co-packaged )光器件提供可實現的途徑,這些光器件將是未來數據中心數據傳輸的關鍵技術。本次成果亮點包括:硅通孔(TSV)輔助、高密度(Tbps/mm2) CMOS-SiPho光收發器樣機、低功率106Gb/s PAM4 SiPho發射機、高速的鍺/硅APD和超寬帶低損耗單模光纖耦合器。

  眾所周知,互聯網的指數級增長和相關應用推動了數據中心部署光互聯技術來實現可持續增長的性能,更低的功耗和更小的空間。未來五年,數據中心光學鏈路的容量將以四個100Gb/s PAM4通道的復用方式,實現向400Gb/s的升級演進。這樣一來,單個數據中心交換機需要處理的帶寬總量將達51.2Tb/s,需要搭載超高密度硅光子收發器技術,以及高度集成并采用共同封裝的交換機CMOS芯片。

  為了幫助行業應對這些挑戰性和普遍性的要求,Imec攜手其根特大學研究實驗室正在開發關鍵技術建造架構,利用Imec硅光子學平臺,在200mm和300mm晶圓上注入高速電子。

  Imec光學I/O工程主管Joris Van Campenhout評論:“我們的研發體系在不同級別的硅光子技術上,無論是工藝的制程集成、個體器件,還是次模組級,都實現了可持續性的改進。我們愿意在ECOC上向行業和院校分享我們的研究進展,并期待著繼續幫助歐洲或其他地區通信行業更好地應對下一代光互連技術關鍵挑戰?!?

  Imec在EOCO期間的展示亮點之一,是業界首個帶有硅通孔(TSV)輔助的混合FinFET CMOS/硅光子收發器技術,采用NRZ調制并可運行40Gb/s速率,該樣機在超低功耗下做到了令人印象深刻的帶寬密度(1Tbps/mm2),給未來數據中心交換機的超密集共同封裝光器件提供實現途徑。

  Imec和根特大學還展示了一款106Gb/s光發射機,其采用PAM4調制格式,這種四級調制格式在近年來被行業廣泛采用,用作超500米距離場景的53GBd單通道傳輸的調制格式。相比于其他PAM4光發射機,IMEC解決方案不需要使用任何同等方式或數字信號處理,其集成兩個并行的GeSi電吸收調制器,研發結果便是一個最緊湊、低功率(1.5pJ/b)光發射機,可以在超過1公里單模塊光纖上實現106Gb/s的傳輸數據。

  同時,Imec還展示其優化的邊緣耦合器設計,基于一個混合Si/SiN光子學平臺,相比于行業標準單模光纖,這項創新給波段堆疊(layer stack)具備更優秀的性能,運行在O和C波段下,可達到單根光纖1.5dB耦合效率。在接收端,Imec推出了具有8和32GHz帶寬的倍增增益的高速Ge/Si雪崩光電探測器(APD),在提升40Gb/s和更高速率的接收機靈敏度和光學鏈路預算方面表現出很高的潛力。


  原文鏈接:https://www.imec-int.com/en/articles/imec-extends-silicon-photonics-portfolio-targeting-next-generation-data-center-interconnects?slide=2


內容來自:訊石光通訊咨詢網
本文地址:http://www.214544.live//Site/CN/News/2019/10/24/20191024090759072040.htm 轉載請保留文章出處
關鍵字: Imec
文章標題:Imec擴大硅光子產品組合 目標指向下一代數據中心互聯
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